美國伊西斯晶振品牌ECX-53B,ECS-250-20-30B-TR貼片石英晶振,ECS晶振,無源晶振,SMD晶振,水晶振動子,石英晶體,貼片晶振,型號ECX-53B,編碼ECS-250-20-30B-TR是一款金屬面貼片型的音叉晶體,尺寸為5032mm,頻率25MHZ,采用優(yōu)異的原料匠心制作而成,具備高質量高性能的特點,比較適合用于無線網(wǎng)絡,通信產品等領域.

    ECS-120-8-30B-CKM晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.美國伊西斯晶振品牌ECX-53B,ECS-250-20-30B-TR貼片石英晶振

存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存石英晶體產品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶體產品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。

    正常溫度和濕度：
    溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內容）。美國伊西斯晶振品牌ECX-53B,ECS-250-20-30B-TR貼片石英晶振
    (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
    安裝時注意事項
    耐焊性
    加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接晶體產品，建議使用SMD產品。在下列回流條件下，對晶體產品甚至SMD產品使用更高溫度，會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前，應檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的石英晶體產品在下列配置條件下進行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
   （1）柱面式產品和DIP產品
    型號 焊接條件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C   
注意[ 柱面式 ]美國伊西斯晶振品牌ECX-53B,ECS-250-20-30B-TR貼片石英晶振
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    (2)SMD進口晶振產品回流焊接條件（實例）
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關信息。
    盡可能使溫度變化曲線保持平滑。
       美國ECS晶振本于‘善盡企業(yè)責任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準.2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,秉持“污染預防、持續(xù)改善”之原則。美國伊西斯晶振品牌ECX-53B,ECS-250-20-30B-TR貼片石英晶振
美國ECS晶振公司事業(yè)廢棄物產出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質與國際大廠對于綠色生產及綠色石英晶體諧振器產品的要求相符，于2004年通過SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗證.
美國ECS晶振勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關注焦如何做到‘降低職業(yè)災害發(fā)生、確保工作場所安全、實施員工健康管理’一直是ECS晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境.

Manufacturer Part Number原廠編碼	歐美晶振廠家	Series型號	Frequency	Operating Temperature    工作溫度
ECS-320-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	32MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-320-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	32MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-320-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	32MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-250-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	25MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-250-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	25MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-250-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	25MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-120-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	12MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-120-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	12MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-120-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	12MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-100-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	10MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-100-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	10MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-100-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	10MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-160-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	16MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-160-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	16MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-160-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	16MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-300-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	30MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-300-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	30MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-300-8-30B-CKM	ECS晶振	ECX-53B	30MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-250-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	25MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-250-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	25MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-250-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	25MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-120-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	12MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-120-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	12MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-120-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	12MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-240-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	24MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-240-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	24MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-240-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	24MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-143-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	14.31818MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-143-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	14.31818MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-143-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	14.31818MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-160-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	16MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-160-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	16MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-160-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	16MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-320-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	32MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-320-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	32MHz	-20°C ~ 70°C
ECS-320-20-30B-TR	ECS晶振	ECX-53B	32MHz	-20°C ~ 70°C