規(guī)格型號：10542722
頻率：20MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
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產(chǎn)品描述：Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無源晶體,日蝕晶振,歐美晶振,SMD晶體,無源晶體,石英晶體,型號EB1620,編碼EB1620JA10-20.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶體諧振器,尺寸為2016mm,頻率20MHZ,精度15ppm,負(fù)載...

Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無源晶體,日蝕晶振,歐美晶振,SMD晶體,無源晶體,石英晶體,型號EB1620,編碼EB1620JA10-20.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶體諧振器,尺寸為2016mm,頻率20MHZ,精度15ppm,負(fù)載10PF,工作溫度-40~+85°C,產(chǎn)品具有優(yōu)良的高品質(zhì)低損耗的特點(diǎn),非常適合用于智能家居.無線網(wǎng)絡(luò).通信產(chǎn)品等領(lǐng)域.

EB1620JA10-19.200M-TR普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機(jī)上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無源晶體

EB1620JA10-20.000M-TR晶振參數(shù)表

日蝕晶振規(guī)格	單位	EB1620晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	20MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±15 × 10^-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.ljnshy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	120 Ohms	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無源晶體 尺寸圖

EB1620JA10-20.000M-TR晶振 在使用晶振時應(yīng)注意以下事項:

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.Ecliptek晶振EB1620,EB1620JA10-20.000M-TR無源晶體

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.

歐美晶振編碼	供應(yīng)商	系列	類型	頻率	頻率穩(wěn)定性	頻率容差	負(fù)載電容
E8WSDC12-32.768K TR	Ecliptek	E8WS	kHz 晶體（音叉）	32.768 kHz	-	±20ppm	12.5pF
EA2532LA18-24.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	24 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-7.3728M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	7.3728 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SCA18-8.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	8 MHz	±100ppm	±50ppm	18pF
E1SFA18-25.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SJA18-4.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	4 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SJA18-25.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	25 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
E1SEA18-8.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	8 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SDA12-25.000M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EA2532LA18-16.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	16 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
EA2532LA18-20.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	20 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
EA2532QA18-24.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	24 MHz	±20ppm	±15ppm	18pF
EA2532QA18-14.7456M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	14.7456 MHz	±20ppm	±15ppm	18pF
EA2532QA18-25.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	25 MHz	±20ppm	±15ppm	18pF
EA2532QA08-16.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	16 MHz	±20ppm	±15ppm	8pF
EB1620JA10-27.120M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	27.12 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-20.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	20 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-19.200M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	19.2 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-26.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	26 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-27.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	27 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB2532JA12-24.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	24 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-28.63636M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	28.63636 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-13.560M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	13.56 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-27.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	27 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-40.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	40 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB1620YA10-24.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	24 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-26.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	26 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-24.576M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	24.576 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-25.000M TR	Ecliptek晶振	EB1620	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB2532YA12-40.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	40 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-25.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-12.288M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	12.288 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-27.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	27 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-20.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	20 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-26.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	26 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-28.63636M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	28.63636 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB1216JA10-27.120M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	27.12 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1216JA10-27.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	27 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620YA10-32.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	32 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF

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