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更多>>- 規(guī)格型號(hào):46361473
- 頻率:16~54MHZ
- 尺寸:2.0*1.6mm
- 產(chǎn)品描述:ILSI晶振,IXA12_A晶振,IXA12FBDF18-20.000MHz晶振,1995年,ILSI北京中國(guó)辦事處開(kāi)業(yè)。1998年,ILSI美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置,這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年,ILSI香港中海物流中心開(kāi)...
ILSI晶振,IXA12_A晶振,IXA12–FBDF18-20.000MHz晶振


航欄(10).jpg)

LISI CRYSTAL又名艾爾西晶振,是美國(guó)一家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)制作時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商.ILSI晶振美國(guó)公司成立于1987年,總部位于加州科某件塔梅薩.
位于美國(guó)內(nèi)華達(dá)州的ILSI晶振公司擁有10000平方英尺面積基地,是一家規(guī)模較大的晶體供應(yīng)商,艾爾西晶振公司全球的員工多達(dá)上千名,美國(guó)ILSI晶振在全球范圍內(nèi)都具有不小的影響力.并致力于研發(fā)生產(chǎn)石英晶體振蕩器,石英晶振,有源晶振等產(chǎn)品.ILSI晶振,IXA12_A晶振,IXA12–FBDF18-20.000MHz晶振.

ILSI晶振規(guī)格 | 單位 | IXA12_A晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 16~54MHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -50°C ~ +150°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | -40°C ~ +85°C,-40°C ~ +105°C,-40°C ~ +125°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 | DL | 100μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 ,±30 × 10-6 ±25 × 10-6 ,±20 × 10-6 ±15 × 10-6 ,±10 × 10-6 |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.ljnshy.cn/ |
頻率溫度特征 | f_tem |
±100 × 10-6 ,±50 × 10-6 ±30 × 10-6 ,±20 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | CL | 8pF~32pF ~ ∞ | 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞SMD晶振產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。ILSI晶振,IXA12_A晶振,IXA12–FBDF18-20.000MHz晶振.


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