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- 規(guī)格型號：61123285
- 頻率：1~160MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm
- 產(chǎn)品描述：NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15A以下,編帶...
NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振
航欄(10).jpg)
NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
NJR crystal在日本東京都中央?yún)^(qū)成立于1949年,專注于生產(chǎn)的日本NJR晶體,32.768K,溫補(bǔ)晶振等水晶元器件,滿足市場對NJR晶體的小型化,高的產(chǎn)品質(zhì)量等需求,
NJR晶振有限公司將以高瞻遠(yuǎn)矚的戰(zhàn)略和創(chuàng)新的高新技術(shù),繼續(xù)為工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的貢獻(xiàn)小型化抗噪晶振產(chǎn)品,通過工業(yè)機(jī)器應(yīng)用晶振完成社會期望和客戶期望方面的重點
NJR Crystal擁有驗豐富的多語種銷售,應(yīng)用支持和工程團(tuán)隊可指導(dǎo)客戶從設(shè)計階段到全面生產(chǎn),NJR晶振的產(chǎn)品由各地的航空航天,汽車,通信,計算,和醫(yī)療行業(yè)的領(lǐng)先位置,并不斷改進(jìn)與創(chuàng)新,秉持超越自我的精神,為社會做出巨大的貢獻(xiàn),同時也竭盡所能為社會創(chuàng)造更加的價值.
NJR晶振被稱為新日本無線, 新日本無線將保護(hù)環(huán)境、尊重生命為己任，在預(yù)防危害污染和環(huán)境保護(hù)方面做出了相當(dāng)大的努力，并做出了保護(hù)地球、安全至上的承諾。作為企業(yè)活動還自主的做出環(huán)境方針，建立全員節(jié)約能源、污染預(yù)防及降低風(fēng)險的持續(xù)改善工作，以達(dá)到企業(yè)永續(xù)經(jīng)營發(fā)展目標(biāo).并且持續(xù)不斷改善環(huán)保方針,生產(chǎn)更多環(huán)保晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體諧振器等優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品.NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振.
NJR晶振有限公司將以高瞻遠(yuǎn)矚的戰(zhàn)略和創(chuàng)新的高新技術(shù),繼續(xù)為工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的貢獻(xiàn)小型化抗噪晶振產(chǎn)品,通過工業(yè)機(jī)器應(yīng)用晶振完成社會期望和客戶期望方面的重點
NJR Crystal擁有驗豐富的多語種銷售,應(yīng)用支持和工程團(tuán)隊可指導(dǎo)客戶從設(shè)計階段到全面生產(chǎn),NJR晶振的產(chǎn)品由各地的航空航天,汽車,通信,計算,和醫(yī)療行業(yè)的領(lǐng)先位置,并不斷改進(jìn)與創(chuàng)新,秉持超越自我的精神,為社會做出巨大的貢獻(xiàn),同時也竭盡所能為社會創(chuàng)造更加的價值.
NJR晶振被稱為新日本無線, 新日本無線將保護(hù)環(huán)境、尊重生命為己任，在預(yù)防危害污染和環(huán)境保護(hù)方面做出了相當(dāng)大的努力，并做出了保護(hù)地球、安全至上的承諾。作為企業(yè)活動還自主的做出環(huán)境方針，建立全員節(jié)約能源、污染預(yù)防及降低風(fēng)險的持續(xù)改善工作，以達(dá)到企業(yè)永續(xù)經(jīng)營發(fā)展目標(biāo).并且持續(xù)不斷改善環(huán)保方針,生產(chǎn)更多環(huán)保晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體諧振器等優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品.NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振.
| Parameter | Symbol | Parameter values / limits | Conditions / remarks |
| Nominal frequency | F N | 1.0 ~ 160MHz | Fundamental or 3rd overtone design |
| Supply voltage range | V DD | 1.8V / 2.5V / 3.3V | More available, please contact us |
| Supply current consumption | I DD | 3mA ~ 40mA | See note 1 |
| Overall frequency stability | ?f/F N | ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm | See note 2, others available |
| Operating temperature range | T OP | –10°C ~ +70°C up to –40°C ~+125°C | Other options available |
| Aging first year | (Δf/F N )y1 | ±3ppm | @+25°C |
| Output waveform / load | — / C L | HCMOS / 15pF or 30pF | Most common, others on request |
| Output voltage levels | V OH / V OL | ≥90%V DD / ≤10%V DD | — |
| Rise and fall times | t R and t F | ≤8ns below 16MHz ≤4ns 40~100MHz | @10%~90%~10%V DD , V DD =3.3V |
| ≤5ns 16~40MHz ≤2ns above 100MHz | |||
| Output symmetry (duty cycle) | DC | 40/60% or 45/55% | @50%V DD |
|
Standby function (enable/disable on pin 1) |
E/D |
Pin1 = High or open -> Output pin3 active Pin1 = Low -> Output pin3 high impedance |
· Output high impedance = TRI-STATE Pin1 can be left open = floating |
| Standby current consumption | I STB | 10µA | Typical |
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耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.NJR晶振,SCO7晶振,SCO76B-24.0000MTS-EXT晶振.
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