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首頁歐美晶振SiTime晶振SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振

    SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振

  • 規(guī)格型號:17219650
  • 頻率:1~220MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0mm
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  • 產(chǎn)品描述:SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆...
     SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
   SiTime 提供全面的福利計劃,使我們的團(tuán)隊能夠繁榮發(fā)展并釋放他們的全部潛力——因為我們知道健康和財務(wù)狀況對于我們的員工茁壯成長至關(guān)重要.
   SiTime Crystal是MegaChips公司的獨(dú)立子公司,主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器,MEMS晶振等器件為主.SiTime晶振主要以生產(chǎn)MEMS晶振,VCXO晶振等頻率元件.
   我們現(xiàn)在引領(lǐng) MEMS 時鐘市場,生產(chǎn)可編程解決方案,使客戶能夠以更高的性能、更小的尺寸、更低的功耗和更好的可靠性來區(qū)分他們的產(chǎn)品。
   SiTime晶振的可配置解決方案幫助客戶提高產(chǎn)品性能,縮小產(chǎn)品尺寸,提升產(chǎn)品可靠性,并在市場競爭中脫穎而出。SiTime產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝和高量產(chǎn)塑料封裝技術(shù)的生產(chǎn)流程,提供業(yè)界強(qiáng)大的供貨能力和簡短的交貨時間.并且SiTime晶振向市場供應(yīng)優(yōu)質(zhì)的有源晶振,可編程振蕩器等產(chǎn)品.SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振.

Ab solute Maximum Table
Parameter Min. Max. Unit
Storage Temperature -65 150 °C
VDD -0.5  +4 V
Theta JA ( with copper plane on VDD and GND)  27.5 °C/W
Theta JC (with PCB traces of 0.010 inch to all pins) 47 °C/W
Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines) 260 °C
Number of Program Writes 1 NA
Program Retention over -40 to 125C, Process, VDD (0 to 3.6V) 1,000+ years
Human Body Model (JESD22-A114) 200
Charged Device Model (JESD22-C101) 750
Machine Model (JESD22-A115)  200
    存儲事項
    (1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。
    正常溫度和濕度:
    溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
    (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
    安裝時注意事項
    耐焊性
    加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
   (1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
    型號 焊接條件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-類型,C-2-類型,C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    (2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件(實(shí)例)
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
    盡可能使溫度變化曲線保持平滑.SiTime晶振,SiT9105晶振,高性能晶振.

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