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- 規(guī)格型號(hào)：97345775
- 頻率：1~80MHz,122.880MHz
- 尺寸：7.0*5.0mm
- 產(chǎn)品描述：Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR24.000M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,...
Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振
航欄(10).jpg)
Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
Sunny晶振公司發(fā)展歷史
2020年6月 開發(fā)出面向 5G 的超低相位噪聲 CMOS XO;開發(fā) -40°C 至 150°C 工作 3225 晶體諧振器
2020年11月 開發(fā)2520、2016熱敏電阻晶體;SX-32、SX-21 的高度可靠的焊點(diǎn)測(cè)試完成
2021年9月 最終選定為產(chǎn)業(yè)通商資源部主辦的 AEC-Q200 可靠性利用支持項(xiàng)目2020年6月 開發(fā)出面向 5G 的超低相位噪聲 CMOS XO;開發(fā) -40°C 至 150°C 工作 3225 晶體諧振器
2020年11月 開發(fā)2520、2016熱敏電阻晶體;SX-32、SX-21 的高度可靠的焊點(diǎn)測(cè)試完成
2021年10月 最終選定為政府支持的開發(fā)項(xiàng)目開發(fā)可在-40℃至+150℃溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的車輛用高可靠性晶體諧振器；
優(yōu)秀陽(yáng)光電子公司下屬研究所創(chuàng)建了研究人員和實(shí)驗(yàn)室打造具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的基礎(chǔ)上,積極以追求客戶滿意的最大化進(jìn)行了各種研究.韓國(guó)測(cè)試的全過(guò)程,并持有該國(guó)最大的研究者優(yōu)秀的研究具有滿腔的熱情為高科技發(fā)展的最佳實(shí)驗(yàn)室SUNNY是在世界市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力.
韓國(guó)Sunny晶體公司于1966年創(chuàng)立,次年Sunny晶振公司開始生產(chǎn)普通晶體,直到1983年才成功制造出振蕩器產(chǎn)品.主要研發(fā)生產(chǎn)SUNNY晶振,SUNNY有源晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體等頻率元件.采用無(wú)鉛無(wú)害環(huán)保材料生產(chǎn),具有耐高溫,高精度,低損耗,低抖動(dòng)等特點(diǎn).Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振.
| ITEM | Value | Remarks |
| Output Logic Type | CMOS | CMOS VCXO |
| Frequency Range | 1.000 to 80.000 MHz, 122.880 MHz | Fundamental |
| Supply Voltage(V DD ) | 2.5 V DC , 3.3 V DC , 5.0 V DC ±5 % | |
| Operating Temperature Range | -20 to +70 ℃, -40 to +85 ℃ | |
| Storage Temperature Range | -55 to +125 ℃ | |
| Frequency Stability |
±25ppm, ±30ppm, ±50ppm, ±80ppm, ±100ppm Max |
Over operating temperature range |
| Input Current |
10mA Max. 20mA(5V), 15mA(3.3V, 2.5V) Max. 30mA(5V), 25mA(3.3V, 2.5V) Max. 40mA(3.3V) |
1.000 to 20.000 MHz 20.001 to 40.000 MHz 40.001 to 80.000 MHz 122.880 MHz |
| Output Voltage Logic High(V OH) | 90 % of V DD Min. | |
|
Output Voltage Logic Low(V OL ) |
10 % of V DD Max. | |
| Rise / Fall Time |
10 ns Max.(1.000 to 20.000 MHz) 8 ns Max.(20.001 to 40.000 MHz) 5 ns Max.(40.001 to 80.000 MHz) 2.5 ns Max.(122.880 MHz) |
Measured over 10 % to 90 % of waveform |
| Duty Cycle | 45 to 55 %, 40 to 60 % |
Measured at 50% of waveform |
| Start-up Time | 10 ms Max. | |
| Output Load Condition(CMOS) | 15 pF Max. | |
| Frequency Deviation | ±50ppm, ±80ppm, ±100ppm Min. | Over Vc range |
| Control Voltage(Vc) | 2.5 V ±2.0 V, 1.65 V ±1.35 V, 1.25 V ±1.05 V | Please specify |
| Linearity | 10 % Max. | |
| RMS Phase Jitter | 1 ps Max. | BW : 12 kHz to 20 MHz |
| Frequency Aging | ±3 ppm Max. | 25 ℃, First year |
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耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.Sunny晶振,SVHF晶振,SVH3330GDDSR–24.000M晶振.
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