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首頁進口晶振CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,石英晶體,CFS-20632768DZFB

    CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,石英晶體,CFS-20632768DZFB

  • 規(guī)格型號:4911543
  • 頻率:32.768KHZ
  • 尺寸:2.0*6.0mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,"CFS-20632768DZFB"石英晶體,生產(chǎn)的32.768K晶體具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種20ppm,10ppm,5ppm,也可以根據(jù)客戶需求...

      CFS-206插件晶振,西鐵城32.768K晶振,石英晶體,生產(chǎn)的32.768K晶體,"CFS-20632768DZFB",具有一致性良好,頻率穩(wěn)定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產(chǎn)品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據(jù)客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產(chǎn)品使用溫度高溫可達到+70°低溫可達到-40°產(chǎn)品被廣泛應用到比較高端的汽車電子產(chǎn)品,民用產(chǎn)品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產(chǎn)品.

西鐵城晶振參數(shù) 符號 CFS-206規(guī)格
公稱頻率 f_nom 32.768KHZ
頻率容許偏差 f_tol ±20ppm
頂點溫度 Ti +25±5ºC
保存溫度范圍 T_stg −40ºC to+85ºC
工作溫度范圍 T_use −20ºC to+70ºC
負載容量 CL 12.5pF Max
串聯(lián)電阻 R1 50kΩ max
絕對最大激勵等級 DL最大值 100μW
并聯(lián)電容 0 0.9pF typ
頻率老化程度 f_age ±5 x 10-6




  
    2007年4月1日西鐵城集團完成了向純粹持股公司的體制轉(zhuǎn)變,并以此為契機,于4月6日制定了“西鐵城集團企業(yè)行動憲章”. 西鐵城集團遵照“西鐵城集團企業(yè)行動憲章”開展事業(yè)活動,在完成企業(yè)的社會性責任的同時,也為持續(xù)型社會的發(fā)展做出了貢獻.
    "CFS-20632768DZFB",  西鐵城提出的“為市民所喜愛、為市民做貢獻”的企業(yè)理念,是指通過“生產(chǎn)為市民所喜愛、為市民所親近的產(chǎn)品”,為全世界人民的美好生活做出廣泛貢獻.
      運用世界領先的小型精密技術(shù)發(fā)掘尚未被開發(fā)出來的、符合人們期待和需求的產(chǎn)品及“新的款式“,不斷創(chuàng)造出實際價值.這就是西鐵城集團的“Micro Human Tech”——想象力和科學技術(shù)碰撞交融后的結(jié)晶.
      "CFS-20632768DZFB", 石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負電場時, 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應正電場區(qū)域, 同時在硅原子上方產(chǎn)生感應負電場區(qū)域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應負電場,硅原子上方產(chǎn)生感應正電場. (圖). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應下氧原子的振幅與電場強度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應的關系.在實際的應用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.


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