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首頁進口晶振津綻晶體振蕩器,NAOD-75石英晶振,智能手機貼片晶振

    津綻晶體振蕩器,NAOD-75石英晶振,智能手機貼片晶振

  • 規格型號:6963098
  • 頻率:1.0~125.0MHz
  • 尺寸:7.0*5.0mm
  • PDF
  • 產品描述:臺灣津綻公司主要生產產品為全系列石英晶體振蕩子即:石英晶體諧振器,(DIP晶體 SMD 晶體),石英晶體振蕩器 (SMD OSCILLATOR) 和石英晶體控制振蕩器 (SMD晶振 VCXO壓控晶振).


      津綻晶體振蕩器,NAOD-75石英晶振,智能手機貼片晶振,石英晶體振蕩器在設計時就與各款型號IC匹配等相關技術,使用IC與晶片設計匹配技術:是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

晶振參數 單位 石英晶振NAOD-75 晶振需求標準
標準頻率范圍 f_nom 1.0—125.0MHz 請確定你所需要的頻率,聯系我們代理商
儲存溫度 T_stg -55°C —  +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C —  +85°C  
電源電壓 VDC 5.0V±10%,3.3V±10%,2.8V±5%,2.5V±5%,1.8V±5%  
精度 f_— l ±20 ppm 如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度 Ti +25°C ±5°C  
負載電容 CL 15PF 可指定
串聯電阻(ESR R1 60kΩ 最大值  
頻率老化 f_age ±3 ×10-6 / year Max. +25±3°C, 第一年




    量測負性阻抗目的是避免振蕩器無法起振,振蕩器無法起振的原因是負性阻抗寬裕度不夠導致,為避免此現象發生于設計時負性阻抗一般至少是 ESR的三倍以上,反之若太小時則會發生偶爾不起振的現象發生.
    輸出端串接一個可變電阻,可變電阻調至最小,上電源讓電路正常動作,調整可變電阻,將之調大,直至振蕩器不起振,確定不起振后,再將可變電阻轉小,觀測波形,持續將可變電阻調小到振蕩器開始振蕩波形正常后,關閉電源,再打開電源,若振蕩器依舊可以起振,這時候可變電阻上的阻抗值再加上2儀器所測得振蕩器單體的電阻值即為負性阻抗值.
負載電容匹配
    1.于振蕩電路產生的振蕩回路來看,不同的負載電容會有不同程度頻率飄移,因此設計時必須針對產品實際的負載電容做量測以確定是否與當初設計規格一致
    2.理論值負載電容計算方式如下,由C51 C52計算串聯電容后加上離散電容等于實際的負載電容,雜散電容內含PCB Layout、芯片電極等等因素造成.
         CL = C51 * C52 / (C51 + C52) + C0 + Cs;
         Note: Cs refers to on board stray capacitance.
常溫產品特性:
     常溫產品特性有時也稱為室溫產品特性,一般是指產品在環境溫度為25℃,相對濕度為50%左右時所測量出來的電性能參數,主要是頻率,電阻,激勵功率相關性及電容比等指標.常溫下產品的頻率主要是觀察其穩定性與一致性.穩定性是相對于單個產品而言,一方面要求產品在測試儀上重復測試時,頻率變化量要小,好產品頻率變化量可以小于±0.5ppm,與產品頻率高低及TS大小有關,一般情況下,頻率越高變化量越大,TS越大變化量越大,測量指標一般是FL,若是FR則不存在TS的問題;另一方面要求產品在電路中工作時不出現頻率漂移,也就是說產品頻率不要跑到幾百甚至幾千ppm去,一般情況下只有高頻(27M以上)產品才會有這個問題,尤其是3RD產品.如果頻率不穩定,偏移的幅度上百ppm或同時伴有C0偏小現象,應考慮膠點是否松動.
      臺灣津綻晶體有限公司承諾所有的運作皆遵守本地國家的法律,并符合國際上所共同認知環保與社會責任的標準,成為一個創造股東最大權益、照顧員工、善盡社會責任的好公司. 依據‘ISO 14001環境/OHSAS-18001安衛管理系統’要求制定本‘環境/安衛手冊’,以界定本公司環境/安衛管理系統之范圍,包括任何排除之細節及調整,并指引環境/安衛管理系統與各書面、辦法書之對應關系,包含在環境/安衛管理系統內之流程順序及交互作用的描述.本公司環境/安衛管理系統之適用范圍包含公司所有的活動、產品及服務.
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