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更多>>- 規(guī)格型號(hào):22512726
- 頻率:12.0~66.0MHZ
- 尺寸:2.5*2.0mm
- 產(chǎn)品描述:在十年的時(shí)間里希華晶體科技刻苦專(zhuān)研,開(kāi)發(fā)大量新產(chǎn)品,正式從原始普通石英晶體諧振器,慢慢的步入SMD晶體,有源貼片晶振領(lǐng)域,并且成功在1998年回到祖國(guó)的懷抱,到了沒(méi)了的中國(guó)廣東省東莞市投資建廠(chǎng).
臺(tái)灣希華晶振SX-2520,SX2016,SX1612石英晶體諧振器


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臺(tái)灣希華晶振SX-2520,SX2016,SX1612石英晶體諧振器,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.

希華晶振參數(shù) | 石英晶振SX-2520 |
---|---|
標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍 | 12.0~66.0MHZ |
儲(chǔ)存溫度 | -40°C~ +90°C |
工作溫度 | -10°C~ +70°C |
激勵(lì)功率 | 10μW (100μW max) |
精度 | ±20 ppm |
頻率溫度特征 | ±30×10-6(-10∼+70℃), ±50×10-6, ±100×10-6 |
負(fù)載電容 | Series,8pF,12pF,188 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
80Ω: 16.000~19.999MHZ 60Ω: 20.000~29.999MHZ 50Ω: 30.000~34.999MHZ 40Ω: 35.000~66.000MHZ |
頻率老化 | ±3 ×10-6 / year Max. |


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請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器晶體的兩個(gè)端子的信號(hào),如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi),它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過(guò)+/-200ppm的),請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5.
The formula for Capacitances versus Frequency is as following:
該公式的電容與頻率是如下:

該曲線(xiàn)代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況.該晶體應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整.如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn):
方法1:降低產(chǎn)品線(xiàn)路外部電容(Cd和CG)的值,并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容(CL).
方法2:采用小電阻(RR)的晶體.
方法3:使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).



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