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- 規(guī)格型號(hào)：28068532
- 頻率：3.25~52MHZ
- 尺寸：2.5*2.0*0.89MM
- 產(chǎn)品描述：KDS晶振,DSO221SBM晶振,影像設(shè)備晶振,日本大真空株式會(huì)社,【KDS】品牌,實(shí)力見證未來,KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺(tái)灣,中國天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大...
KDS晶振,DSO221SBM晶振,影像設(shè)備晶振
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KDS晶振,DSO221SBM晶振,影像設(shè)備晶振,日本大真空株式會(huì)社,【KDS】品牌,實(shí)力見證未來,KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺(tái)灣,中國天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷,從最初的32.768K晶體為主,到現(xiàn)在以小體積貼片石英晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界石英晶體振蕩器之中最小的.
KDS晶振,DSO221SBM晶振,影像設(shè)備晶振,KDS石英晶振特點(diǎn):適合應(yīng)用一些高端產(chǎn)品,比如智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
| 規(guī)格參數(shù) | DSO221SBM晶振 |
| 頻率范圍 | 3.25~52MHZ |
| 電源電壓 | 5V |
| 負(fù)載電容 | 30PF |
| 溫度特征 |
±100×10-6 ,±50×10-6max /−40~＋85℃ ±30×10-6 max /-20~+70℃（標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)作溫度范圍） |
| 消費(fèi)電流 | +8mA max.（3.25≦fo≦52MHz） |
| 負(fù)荷變動(dòng)特性 | / |
| 電源電壓特性 | / |
| 老化率 | ±2.0×10-6 max /year |
| 起動(dòng)時(shí)間 | 5ms max |
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耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.KDS晶振,DSO221SBM晶振,影像設(shè)備晶振..jpg)
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